P-channel Mosfet
Les 10 meilleurs produits en septembre 2025
Dernière mise à jour :
10 septembre 2025
Innfeeltech
Innfeeltech 10 Transistors MOSFET IRF4905 74A 55v transistor à effet de champ Canal P to - 220 puissance MOSFET redresseur de transistor à effet de champ
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98
QUALITÉ MAXIMALE
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#1 GAGNANT
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Le paquet comprend : 10 Pcs IRF4905 MOSFET Transistors
Réglementation : Courant de drainage MAX 74A, Tension MAX Vds 55V, Puissance MAX 200W
Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
Polarité du transistor : PMOS Transistor à canal P. Boîtier To-220AB encapsulé
Application : Appliquer aux applications de commutation de haute puissance et d'amplification de signal dans les appareils électroniques.
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MMMO
Kit de 40 MOSFET N-Channel et P-Channel AO3400 AO3401 AO3402 AO3404 AO3406 AO3407 AO3415 AO3416
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QUALITÉ SUPÉRIEURE
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#2
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40 MOSFET N-Channel et P-Channel de la série AO34 au format SOT23
5 x AO3400, 5 x AO3401, 5 x AO3402, 5 x AO3404, 5 x AO3406, 5 x AO3407, 5 x AO3415, 5 x AO3416
Composants protégés dans un sac antistatique refermable
Caractéristiques techniques figurant dans la description
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Hutson Street Press
The Combined Effects of Radio Frequency and Gamma Irradiation on P-Channel Mosfets
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QUALITÉ EXCELLENTE
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#3
MMMO
Kit de 5 MOSFET P-Channel IRF9640
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QUALITÉ EXCELLENTE
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#4
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5 MOSFET P-Channel IRF9640 au format TO-220
Composants protégés dans un sac antistatique refermable
Caractéristiques techniques figurant dans la description
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VDM Verlag
Defect generation in oxides of p-channel MOSFETs in presence of water: A Study
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QUALITÉ DISTINGUÉE
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#5
FENXINCHIP
10 pièces FQP27P06 27P06 P-Channel MOSFET TO-220
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QUALITÉ BONNE
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#6
LAP LAMBERT Academic Publishing
Analytical Modeling and Simulation of TMSG MOSFETs
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#7
VDM Verlag
Analytical design and numerical verification: of p-channel strained silicon-germanium hetero mosfet
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QUALITÉ BONNE
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#8
VGOL
VGOL Lot de 50 transistors à effet de champ AO3400 A09T 5,7 A 30 V canal N canal P compatible avec transistor MOSFET SMD AO3400 SOT-23
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QUALITÉ BONNE
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#9
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Application : généralement utilisé dans les applications à haute fréquence telles que l'amplification RF, le traitement du signal et les applications de gestion de l'alimentation.
Emballage : sécurisé dans un sac antistatique offrant une protection électrostatique, une sécurité ESD et une durée de vie prolongée.
Caractéristiques : tension du transistor canal N : 30 V et courant : 5,7 A, température minimale -55 °C, température maximale 150 °C ± 30 °C.
REMARQUE : L'exposition à des conditions maximales absolues pendant de longues périodes peut affecter la fiabilité de l'appareil
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MMMO
Lot de 10 MOSFET P-Channel SI2301 A1SHB SMD SOT-23
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QUALITÉ BONNE
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#10
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10 MOSFET P-Channel SI2301 A1SHB au format SMD SOT-23
Composants protégés dans un sac antistatique refermable
Caractéristiques techniques figurant dans la description
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mosfet p-channel
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p channel logic level mosfet
mosfet n channel
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