Transistor Mosfet N
Les 10 meilleurs produits en septembre 2025
Dernière mise à jour :
10 septembre 2025
HUAREW
HUAREW 10 pièces IRFZ44N transistor MOSFET de puissance redresseur à canal N 49A 55 V
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99
QUALITÉ MAXIMALE
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#1 GAGNANT
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HUAREW IRFZ44N transistor MOSFET
Emballage: 10 pièces
Type: canal N
Courant de vidange Id: 49A
Tension de drain-source Vds: 55V
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Riybyds
10 Pièces Transistors MOSFET IRFZ44N, Puissance de Redresseur à Canal N, 49A 55V,pour Applications de Commutation de Haute Puissance
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QUALITÉ SUPÉRIEURE
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#2
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Capacité de Commutation Élevée: Le transistor MOSFET IRFZ44N à canal N offre une capacité de courant de vidange exceptionnelle de 49A et une tension de drain-source de 55V, parfait pour les applications nécessitant une haute performance.
Pack Économique de 10 Pièces: Ce lot comprend 10 transistors MOSFET, idéal pour les professionnels et les amateurs d'électronique qui nécessitent plusieurs composants pour leurs projets ou pour maintenir un inventaire adéquat.
Conçu pour la Durabilité: Fabriqués avec des matériaux de haute qualité, ces transistors MOSFET garantissent une longue durée de vie et une fiabilité dans divers environnements, réduisant ainsi les besoins de remplacement fréquent.
Compatibilité Étendue avec les Circuits: Facile à intégrer dans de nombreux designs de circuits grâce à leur type à canal N, ces transistors sont compatibles avec une large gamme d'applications électroniques.
Optimisation de l'Efficiacité Énergétique: Utilisez ces transistors MOSFET pour améliorer l'efficacité énergétique de vos dispositifs, grâce à leur capacité à gérer efficacement la puissance sans surchauffe excessive.
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Innfeeltech
Innfeeltech 10 Transistors MOSFET irfz44n 49a 55v transistor à effet de champ n - canal to - 220 puissance MOSFET redresseur de transistor à effet de champ
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QUALITÉ EXCELLENTE
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#3
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Paquet de 10 transistors MOSFET IRF9540 10 Pcs IRFZ44N Transistors MOSFET
Réglementation : Courant de drainage Id 49A, tension de source de drainage Vds 55V
Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
Polarité du transistor : Transistor à canal N. Boîtier To-220AB encapsulé
Application : Appliquer aux applications de commutation de haute puissance et d'amplification de signaux dans les dispositifs électroniques : Appliquer aux applications de commutation de haute puissance et d'amplification de signaux dans les dispositifs électroniques.
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Plátano Editora
Transístores de Efeito de Campo - JFET, MOSFET e Amplificadores N.º 9 (Portuguese Edition) [Paperback] José Vagos Carreira Matias
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QUALITÉ DISTINGUÉE
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#4
DollaTek
DollaTek Lot de 6 transistors MOSFET IRFP260N à canal N 50 A 200 V TO-247 AC
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QUALITÉ FIABLE
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#5
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HEXFET de cinquième génération de redresseurs internationaux.
Techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance extrêmement faible par zone en silicone.
Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et au design robuste de l'appareil HEXFET, température de fonctionnement de 175 °C.
MOSFET est bien connu, fournit au designer un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le TO-247 est similaire mais supérieur à l'ancien emballage TO-218 en raison de son trou de montage isolé.
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YINETTECH
YINETTECH 10 Pièces IRLZ44N Transistors MOSFET de Niveau Logique 47A 55V Transistors MOSFET à Canal N 29x10x4.5mm Utilisés Comme Commutateurs Électroniques Redresseurs Contrôlables
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QUALITÉ FIABLE
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#6
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Modèle : IRLZ44N ; ID de courant de vidange continu : 47 A ; Tension de source de drain Vds : 55 V. Polarité du transistor : Canal N.
Taille : 29x10x4,5 mm. Type de colis : TO-220. Nombre de broches : 3.
Matériau durable : Le transistor est fabriqué en matériau semi-conducteur à oxyde métallique, qui présente une bonne stabilité thermique et une longue durée de vie.
Technologie de processus avancée : Le transistor est une sorte de composant électronique de précision avec une résistance d'entrée élevée, un faible bruit, une faible consommation d'énergie et une large plage dynamique.
Application : Il s'agit d'un dispositif semi-conducteur de puissance couramment utilisé dans les circuits électroniques, qui peut être utilisé comme commutateurs électroniques, redresseurs contrôlables, etc. Redresseur à canal N avec de multiples fonctions telles que la détection, la rectification, l'amplification, la commutation, la stabilisation de tension et la modulation du signal. largement utilisé dans les circuits intégrés à grande et très grande échelle.
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Morgan & Claypool
Low Substrate Temperature Modeling Outlook of Scaled N-mosfet
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QUALITÉ BONNE
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#7
BOJACK
BOJACK IRFP260 MOSFET Transistors IRFP260N 50 A 200 V MOSFET de puissance à canal N IRFP260NPBF TO-247AC (paquet de 5 pièces)
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QUALITÉ BONNE
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#8
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Type de transistor: MOSFET
Polarité du transistor: canal N
Courant de vidange (Id Max): 50A
Tension Vds Max: 200V
Puissance (max): 300W
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EMSea
EMSea 100x N-Channel 2N7000 MOSFET Transistor TO-92 0.3A 60V 3 Broches International Redresseur Puissance pour l'industrie Domestique et Bricolage
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#9
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Modèle : 2N7000 ; ID de courant de drain continu : 0,3 A ; Tension Vds Max : 60 V ; Polarité du transistor : canal N.
Matériau durable : Le transistor est constitué d'un matériau semi-conducteur à oxyde métallique, qui présente une bonne stabilité thermique et une longue durée de vie.
Technologie de processus avancée : Le transistor est une sorte de composant électronique de précision avec une résistance d'entrée élevée, un faible bruit, une faible consommation d'énergie et une large plage dynamique.
Application: Le tube MOSFET est une sorte d'élément de contrôle de tension.Ces appareils sont adaptés aux alimentations à découpage, à l'amplificateur audio, à la commande de moteur à courant continu et aux applications de puissance de commutation variable.
Multifonction : Redresseur à canal N avec de multiples fonctions telles que la détection, la rectification, l'amplification, la commutation, la stabilisation de la tension et la modulation du signal, largement utilisé dans les circuits intégrés à grande et très grande échelle.
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Tecnostore
Tecnostore BS170 N-CH Mosfet Lot de 5 transistors 60 V 500 mA
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#10
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